2021年9月8日 - 捷捷微电推出新款 150V 系列 N-沟道JSFET®, 采用 TO-220-3L, TO-247-3L 及 TO-263-3L 封装，超优的热导性能減少热点，提升可靠性；符合 5G 通信电源及有源以太网 (PoE++) 供应端电源、储能电池组电源管理 (BMS) 优化器、无刷电机驱动 (BLDC) 等应用对超高功率密度和能效的需求。器件内部配以全铜框架，电流处理能力达185A。在VGS＝10V条件下，系列中 TO-263-3L 封装的 JMSH1504AE，标准导电阻抗低至 3.9mΩ，与国际半导体 IDM 大厂的同类产品不相伯仲。
新的 JMSH1504 系列功率器件提供插件式及贴片式两种封装，方便应用电路PCB 版图设计及电子元件放置。与同类采用 TO-263 封装的竞品相比，不仅在导通阻抗、雪崩能量、米勒及输出电容等参数方面大有优势；也具良好的线性模式/安全工作区域（SOA）特性，可以在大电流条件下安全可靠地开关工作。
。在数据中心、5G 数据交换机、安防系统伺服器里也常会用在 OR-ing 及热插拔等应用。极低的米勒电容 (6.7pF) 及输出电容 (772pF)，和高达 889mJ 的雪崩能量 (EAS) ，能轻松的处理高电平转低电平子系统中电源关断时常出现的尖峰电压，确保长期稳定的系统运转。
