2021年8月6日 - 捷捷微电 推出新款30V N沟道JSFET®, 用以符合电源及电机类应用、反向电池保护等对超高功率密度和能效的需求。JMSL030SAG 采用紧凑且具高可靠性的 PDFN5x6 封装，内部配以全铜框架及夹片，把杂生电感降至最低的同时，超优的热导性能可減少热点，改善器件的雪崩能量 (EAS)。在VGS＝10V条件下，标准导电阻抗仅为0.55mΩ 达国内最高水平，与欧美日半导体 IDM 大厂的最佳同类产品不相伯仲。

        新的 SGT MOSFET 功率器件与最接近的 DPAK 和 D2PAK 封装竞品器件相比，占位面积分别减少 50% 及 76%。与同类采用 5mm x 6mm 封装的竞品相比，不单在导通阻抗和输入电容两个参数方面大有优势；具业界领先的线性模式 / 安全工作区域（SOA）特性，亦可以在大电流条件下安全可靠地开关工作。PDFN5x6 封装的引脚，具低应力而且长达 0.275mm，比欧美同类产品高出 2.2倍多，极大程度地改善自动光学检测线路板上焊点良率。

        「JMSL030SAG 是捷捷微电继上一代国内 RON,sp 最先进的  JMSL0302AU 后，结合先进的全铜和长引脚封装工艺，把性能更推高至全球第一梯队。有信心它可以在客户的设计基础上，助力优化功率密度、温升、能效、和生产良率等。」

        JMSL030SAG 能满足消费类、工业类、及车用类后装等应用对器件牢固性和可靠性的需求。在数据中心、5G数据交换站、安防系统伺服器里用作存储数据的固态硬盘，在維修及正常运作时，常常需要被热插拔。接合处 e-Fuse 內含JMSL030SAG，其超低导通阻抗及 Qg 既可把正常工作能耗降至最低，也能轻松的处理电源关断时出现的尖峰电压。